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新聞網(wǎng)訊 近日，我校材料科學與工程學院能源與環(huán)境材料研究院吳廣磊教授科研團隊在界面極化增強型電磁波材料的構(gòu)建方面取得重要進展，研究成果以“Molecular intercalation-induced two-phase evolution engineering of 1T and 2H-MS₂(M=Mo, V, W) for interface-polarization-enhanced electromagnetic absorbers”為題發(fā)表在國際頂級期刊Adv. Funct. Mater. 2024, DOI：10.1002/adfm.202405523.。該論文我校為唯一完成與通訊單位，吳廣磊教授為通訊作者，該工作得到了國家自然科學基金和山東省泰山學者青年專家項目等的資助。

通過有機小分子插層調(diào)整過渡金屬二硫族化合物(TMDs) MS₂(M=Mo, V, W)的相結(jié)構(gòu)進而調(diào)控界面極化的研究性論文。獲得的1T-MS₂具有金屬特性，2H-MS₂表現(xiàn)出半導體特性。并以Mo-MOF為負載基體，對界面極化過程中載流子的運動行為進行了相關(guān)研究。為了排除TMDs材料的本征性質(zhì)的影響，研究了三種同樣具有相變的TMDs (MoS₂, VS₂和WS₂)。在界面極化和傳導損耗的協(xié)同作用下，1T-MS₂復合材料表現(xiàn)出優(yōu)異的EMW吸收性能。1T-MoS₂/MOF-A具有最佳的EMW吸收性能，最小反射損耗值（RL_min）在3.0 mm時達到了-61.07 dB，同時在2.3 mm時最大吸收帶寬（EAB_max，RL≤-10 dB）達到7.2 GHz。

界面極化是電磁波衰減的重要損耗機制，但載流子在不同類型導體組成的界面中的運動行為尚未得到研究。通過有機小分子插層調(diào)整過渡金屬二硫族化合物（TMDs）MS₂(M = Mo, V, W)的相結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)界面類型的調(diào)控是一種有效的策略，其中1T-MS2具有金屬性質(zhì)，2H-MS₂具有半導體性質(zhì)。為了排除TMDs材料的本征性質(zhì)的影響，該團隊研究了三種同樣具有相變的TMDs（MoS₂, VS₂和WS₂）。在界面極化和傳導損耗的協(xié)同作用下，1T-MS₂復合材料表現(xiàn)出優(yōu)異的EMW吸收性能。

近年來，吳廣磊研究團隊一直致力于吸波材料性能和電介質(zhì)絕緣優(yōu)化工作的研究，至今在Nat. Commun, Adv Funct Mater, Small, Carbon, J. Mater. Sci. Technol.等發(fā)表高水平科研論文多篇，SCI他引共計22000余次，H指數(shù)93，i10指數(shù)249；入選2022年（2023年）愛思唯爾“中國高被引學者”；連續(xù)多年入選全球前2%頂尖科學家榜單及全球頂尖前10萬科學家榜單；現(xiàn)擔任Int. J. Miner. Metall. Mater.雜志編委及學科編輯、J. Mater. Sci. Technol.青年編委、SusMat首屆青年編委、Nano Res青年編委和Nano-Micro Lett青年編委。

論文鏈接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adfm.202405523.